技术编号:3373879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及加工半导体材料的等离子体反应室用硅部件。本发明还涉及生产和使用硅部件的工艺。背景技术 在半导体材料加工领域,真空处理室被用于材料的蚀刻和基体上材料的化学气相沉积(CVD)。使处理气体流入加工室,同时对处理气体施加能量,例如射频(RF)场,以便产生等离子体。图1中表示了在共同转让的美国专利No.6376385中公开的单晶片蚀刻机用组合件中的上电极(或“喷头式电极”)10。上电极10通常和静电卡盘一起使用,静电卡盘包括下电极(未示出),在上电极10下...
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