技术编号:3374722
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,以及用于半导体晶片和微芯片的渡液的制作方法本发明涉及半导体中的晶片凸块技术。特别地,本发明涉及在微芯片或包括多个微芯片的晶片上生成铜凸块的无电镀沉积方法。 背景技术 由于无电镀沉积相比于现有电解镀技术有很多优点,它成为在晶片凸块工业中越来越有吸引力的技术。特别地,比较于电解镀技术,无电镀沉积具有无遮蔽,处理步骤低成本,用时短,好的一致性和好的间隙填充能力的优点。这些优点在晶片凸块的底层金属(UBM)应用中尤其重要。一种无电镀镍凸块处理被研制出来,用于以低...
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