技术编号:3374902
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能光电材料领域,特别涉及到氢化非晶硅薄膜的生长技术。技术背景太阳能光伏发电是获得有利于环境的可再生能源的重要途径之一,薄膜太阳能电池代表 着光伏技术的发展趋势。基于硅薄膜的太阳能电池具有低成本,便于大面积集成制造的优点, 但是其转换效率偏低。光电转换的过程完全发生在由本征非晶硅构成的i层之中,而p层和n 层的作用是在相对厚的i层中建立内置电场,以便收集i层中的光致载流子。非晶硅p-i-n型 太阳能电池的稳定性,几乎完全取决于非掺杂的非晶硅i层...
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