技术编号:3375055
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种化学机械研磨装置及系统。背景技术化学机械抛光(ChemicalMechanical Planarization, CMP)工艺是一种平坦化工艺,在1990年被引入集成电路制造工艺以来,经过不断实践和发展,已成为推动集成电路技术节点不断缩小的关键工艺。目前CMP已经广泛应用在浅沟槽隔离结构平坦化,栅电极平坦化,钨栓塞平坦化,铜互连平坦化等工艺中。CMP工艺也被应用于去除基底表面上的薄膜层。CMP的相关技术可以参考专利号为US57...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。