技术编号：3375102
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种原子层的沉积方法。背景技术 原子层沉积(ALD)涉及在通常保持负压(低于大气压的压力)的沉积室内沉积连续多个单层到基材上。一个代表性的该方法包括将单一汽化前体供应到沉积室中以使在室中放置的基材上有效形成第一单层。然后，第一沉积前体的流过停止，惰性吹扫气流过室中，以便从室中有效去除所有残留的没有粘附到基材上的第一前体。随后，不同于第一前体的第二汽相前体流向室中以在第一单层上或与第一单层有效形成第二单层。第二单层可以与第一单层反应。其它前体可以形...
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