技术编号：3375322
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子工艺中，具体涉及一种用于微电子抛光工艺的抛光液及其应用。背景技术随着超大规模集成电路(ULSI)技术向更小器件尺寸发展，后端铜互连的尺寸也随之缩小。为减小互连延时，铜互连结构中的阻挡层和粘附层越来越薄，传统的铜粘附层/阻挡层-Ta/TaN已经不能满足要求，因为Ta相对的高电阻率，以及Ta不能作为铜直接电镀的籽晶层。金属钴(Co)价格相对便宜，和铜有很好的粘附性，Cu在Co上容易成核，同时Co的电阻率较低，同时也能作为铜的直接电镀籽晶层。钴或...
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