技术编号:3375359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及半导体制造,更具体涉及用于调整带电的法拉第屏蔽上的电压以控制在电感耦合等离子体刻蚀反应室中等离子体性能的设备与方法。现有技术在半导体制造中,刻蚀工艺很普遍且不断重复的执行。如本领域技术人员公知的,存在有两种刻蚀工艺,干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀通常利用电感耦合等离子体刻蚀设备来执行。图1显示根据现有技术的电感耦合等离子体刻蚀设备100。电感耦合等离子体刻蚀设备100包含刻蚀反应室101,其结构是由反应室壁102与反应室窗104所界定。反应室壁...
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