技术编号:3375778
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅片加工方法及装置,具体涉及一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置。背景技术单晶硅片是经过晶体生长、切片、研磨、腐蚀、抛光和清洗等过程制造出来的。抛光是硅片切片后,继研磨工序后对其表面进行的第二次机械加工,也是硅片加工技术中必要的基本工序。化学机械抛光(CMP)被公认为是超大规模集成电路阶段最好的材料全局平坦化方法,该方法既可以获得较完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,已经基本取代了传统的多种技术。化学机械抛光的主要目的是为了降低硅片表面...
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