技术编号:3376317
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子,特别涉及一种下电极组件及具有其的化学气相沉积设备。背景技术PECVD (等离子体增强化学气相沉积)设备是在平板式载板上放置晶片。并将载板接地,上电极接中频或者射频,以在上电极和载板之间形成等离子体用以在晶片上沉积生成膜层。图1为一种平板式PECVD设备结构图,该PECVD设备包括具有反应腔的反应腔体100’、进气口 200’、设置在反应腔体100’之内的上电极板300’和载板400’,以及控制载板升降的升降汽缸600’和加热腔500’。其...
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