技术编号:3376501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体技术及原子层沉积设备装置,尤其涉及ー种多片远程等离子体增强原子层沉积腔室。背景技术原子层沉积(Atomic Layer D印osition,ALD)是在ー个加热反应器中的衬底上交替引入气相前驱体,通过交替的表面饱和反应进行自限制生长(Self-limiting growth)超薄薄膜。ALD相比传统的金属有机物化学气相沉积(M0CVD)、分子束外延(MBE)和物理气相沉积(PVD)等沉积エ艺具有先天的优势它通过控制反应周期数精确地控制薄膜...
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