技术编号:3376752
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高纯材料的制备方法,尤其涉及一种。背景技术高纯镉(Cd)主要用于制备I1-VI族化合物半导体,高纯合金,电池,焊料和原子反应堆中控制棒等,太阳能电池,红外探测器等。镉中危害性杂质直接影响它作为光伏材料、光导材料和感光材料的光电性能,目前常用高纯镉镉含量仅为99.999%,已无法满足现代高新材料发展的要求。发明内容针对背景技术中的不足,本发明的目的在于提供一种,其能获得闻于现有技术纯度的闻纯铺。为了实现本发明的目的,本发明提供一种,包括步骤一,...
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