技术编号：3376762
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种。背景技术在制作半导体器件的最后一层金属层时，通常会采用溅射法来形成铝金属层，并通过刻蚀工艺来形成金属互连线。然而，在刻蚀工艺之后，很容易在半导体器件的表面形成圈状的金属残留物。这些金属残留极易出现在两根金属线之间，这样将导致金属线连通，从而导致半导体器件失效。通常情况下，采用溅射法形成该层金属层时的溅射温度约为300°C左右，通过扫描电子显微镜检测该层金属层的晶粒尺寸较大，且金属层表面粗糙度较大，因此，在后续的显影工艺之...
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