用于形成含锆和/或铪层的系统和方法技术资料下载

技术编号:3376857

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本发明涉及在气相淀积工艺期间,采用一种或多种硅前体化合物和一种或多种锆和/或铪前体化合物在底材上形成层的方法。所述前体化合物和方法特别适用于在半导体底材或底材组件上形成金属硅酸盐介电层、尤其是硅酸锆和/或硅酸铪介电层。背景技术电容器是随机存取存储器元件,如动态随机存取存储器(DRAM)元件和静态随机存取存储器(SRAM)元件中的基本储能装置。它们由两个导体构成,所述导体例如为起电极作用(即存储节点电极和电池板电容器电极)并通过介电材料彼此绝缘的平行金属板或...
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