技术编号:3376857
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在气相淀积工艺期间,采用一种或多种硅前体化合物和一种或多种锆和/或铪前体化合物在底材上形成层的方法。所述前体化合物和方法特别适用于在半导体底材或底材组件上形成金属硅酸盐介电层、尤其是硅酸锆和/或硅酸铪介电层。背景技术电容器是随机存取存储器元件,如动态随机存取存储器(DRAM)元件和静态随机存取存储器(SRAM)元件中的基本储能装置。它们由两个导体构成,所述导体例如为起电极作用(即存储节点电极和电池板电容器电极)并通过介电材料彼此绝缘的平行金属板或...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。