技术编号:3376947
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种薄膜的热处理方法及热处理装置;另外,本发明还涉及一种化学气相沉积装置。背景技术在超大规模集成电路(UltraLarge Scale Integrated Circuit,ULSIC)时代,随着半导体工艺复杂程度的增加,在半导体衬底上沉积符合物理、机械、化学、电学等特性的薄膜变得越来越重要。所谓薄膜,是指一种生长在半导体衬底上的固体物质,它的某一维尺寸(通常是指厚度)远远小于另外两维上的尺寸。所述薄膜可以是导体、绝缘物...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。