技术编号:3377061
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子封装材料,特别适用。背景技术 硅芯片的热膨胀系数只有4×10-6/K,随着芯片集成度的不断提高,要求电子封装材料具有高热导率和低的热膨胀系数,传统的封装材料难以满足这些要求。第一代封装材料金属铝和铜的热膨胀系数高达17×10-6/K以上,可伐合金和铁镍合金的热导率只有17W/mK;第二代封装材料钨铜的密度太大,而且热膨胀系数只有7×10-6/K;第三代封装材料铝碳化硅的热导率比可伐高十倍,但目前国内外铝碳化硅的热膨胀系数高于7×10-6/K。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。