技术编号：3378808
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于薄膜光伏器件的大规模MOCVD系统相关申请的引用本申请要求享有于2010年3月四日提交的美国临时申请No. 61/318，750的优先权，并将其全文引入于此以便各种目的的参考。背景技术本实用新型一般地涉及光伏技术，更具体地说，涉及利用铜铟联硒化合物(CIS)、 铜铟镓联硒化合物(CIGS)、以及其它物质来制备薄膜光伏器件的大规模系统和方法。本实用新型可用来实施用于沉积金属氧化物材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统以在大规模基底面板上制造薄膜光伏...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。