技术编号：33815168
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种超结结构的半导体功率器件。背景技术.现有技术的超结结构的半导体功率器件的工作机理是：)当栅源电压vgs小于阈值电压vth，漏源电压vds大于v时，半导体功率器件处于关断状态；.)当栅源电压vgs大于阈值电压vth，漏源电压vds大于v时，半导体功率器件正向开启，此时电流从漏极经栅极处的电流沟道流到源极。现有技术的超结结构的半导体功率器件在关断时，当漏源电压vds小于v时，半导体功率器件中寄生的体二极管处于正偏压状态，反向电流从源极...
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