技术编号:3382796
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种新型原子层沉积设备。 背景技术原子层沉积(Atomic Layer D印osition,ALD),又称原子层外延(Atomic Layer Epitaxy),最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料SiS = Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制,前述材料大多应用于平板显示器。由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低沉积速度,在上世纪80年代中后期,该技术并没有取得实质性突破。直到20世纪90年代中期, 随着微电子和深亚微米芯片技术的发展要求...
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