技术编号:3384494
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种等离子体表面加工技术,其中通过在一对电极之间施加电场以等离子体化加工气体,对于半导体等的基材的表面进行例如成膜、蚀刻、灰化、清理、表面改性等加工。更具体地,本发明涉及一种适合在等离子体成膜设备中布置基材远离基材的电极之间的电场施加空间的所谓的远程控制型的设备。背景技术 等离子体表面加工设备配备一对电极(例如,日本专利申请公开第H11-236676号)。加工气体引入到该对电极之间,并且在它们之间施加电场产生辉光放电。这样加工气体被等离子体化。将...
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