技术编号:3384892
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种研磨液,特别是涉及一种在半导体元件的配线形成工序的研磨中使用的研磨液,以及使用该种研磨液的研磨方法。背景技术 近年来,伴随半导体集层电路(以下称LSI)的高集层化、高性能化,新的微细加工技术正在被开发。化学机械研磨(CMP)技术即为其中之一,其是在LSI制造工序,特别在多层配线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化,金属插头的形成,埋入配线的形成中频繁使用的技术。该项技术,例如已在美国专利第4,944,836号中公开。最近为使LSI高性能化,主要尝试...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。