技术编号:3387936
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可以提高气化稳定性的有机金属化合物及其合成方法以及含有该化合物的溶液原料,含有金属的薄膜。更详细地,涉及适宜作为用于通过有机金属化学气相沉积法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,下面称为MOCVD法。)制作Si-O-Hf薄膜、HfO2薄膜、Si3N4薄膜等的原料的有机金属化合物及其合成方法以及含有该化合物的溶液原料,含有金属的薄膜。背景技术 在晶片的钝化膜中,广泛使用SiN系绝缘膜。作为SiN系绝缘膜...
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