技术编号:3388858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化硅膜的低压化学气相沉积(LPCVD)领域,特别是涉及一种改良的用以沉积BTBAS(bis t-ButylaminoSilane)氮化硅膜的制造方法及其系统。背景技术 如本领域技术人员所知,半导体元件以许多道的工艺步骤形成,其中即包含氮化硅膜的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺。现有的LPCVD氮化硅膜通常在温度为750℃下藉由在高温中的二氯硅烷(dichlorosilane,DCS)与氨气反应沉积而成。然而,随着元件尺寸的缩小,当前述的LPC...
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