技术编号：3388948
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及为固定真空室内的反应器而设置的托架，具体地涉及为固定真空室内的PECVD反应器而设置的托架 。本发明还涉及包括所述托架的真空室。背景技术在薄膜硅光伏电池制造中，最常见的硅沉积工艺是例如等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)。例如，在具有两个电极的平行板反应器内，借助HF电压点燃等离子体。包括像硅烷(经常稀释在氢气中)这样的气体硅，能实现不同结晶度的硅层的沉积，但必须控制某些工艺参数，例如压力、气体混合物、功率和工艺温度。等离子体反应器的变热基本...
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