技术编号:3389056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及溅射装置。背景技术在基板上形成薄膜时,从成膜速度快等的优点出发,大多利用磁控溅射方式。在磁控溅射方式中,通过在标靶的后方设置由交替改变极性的多个磁铁构成的磁铁部件,用该磁铁部件在标靶的前方形成磁束捕捉电子,由此提高在标靶前方的电子密度,提高这些电子和导入真空腔内的气体的冲撞概率,增加等离子密度进行溅射。 可是,近年随着基板的大型化,磁控溅射装置也大型化。因此,已知有通过并列设置多个标靶能够对大面积的基板成膜的溅射装置(例如,参照专利文献I )。专...
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