技术编号：3389394
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 本发明涉及一个用以形成一种含Ⅱ和Ⅵ族原子的沉积膜的改进工艺，这种膜尤其适宜用作半导体器件的光导元件，电子摄影术所用的光敏元件，图象输入线探测器，摄象装置，光电动势装置等。 更确切说，本发明涉及一种用以有效地形成在一衬底上的，主要含Ⅱ族和Ⅵ族原子地沉积膜的改进工艺，其方法如下用氢气或含有氢气和带微波等离子的稀有气体的混合气体形成激发态氢原子，这里的微波等离子由位于与一微波电路中的两个阻抗匹配电路相连的谐振腔中的等离子发生室产生，再使激发态氢原子与...
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