技术编号:3389862
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低温、低压、无高能离子损伤的淀积二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)薄膜的光CVD技术。光化学气相淀积(光-CVD)的原理是利用紫外光的光子能量使反应气体分子分解,通过光化学反应生成二氧化硅,氮化硅等介质分子,由于物理吸附和化学吸附淀积在半导体材料的衬底上。该二氧化硅(SiO2),氮化硅(SiN)薄膜可用作半导体器件低温钝化、低温介质隔离、及离子注入的低温掩膜等。目前,国外已有关于光CVD技术及其装置的报导,如WO-8705-055(系美国...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。