技术编号：3390056
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体器件的低温表面钝化，介质隔离和扩散掩蔽的专用设备。已有的CVD即化学气相淀积设备有等离子增强型CVD、低压型CVD、高温氧化型CVD和光CVD(即光化学气相淀积)。但前三种CVD设备均存在着薄膜淀积温度高，射频电磁场(RF)辐射损伤及高能离子撞击损伤，且不能对化合物半导体如InP，InSb，HgCdTe等器件进行表面钝化以及RF场和高能离子易打穿器件，特别是对结深很浅的集成电路，微波器件，MOS器件等尤为不利的缺点。而光CVD设备则...
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