技术编号：3390420
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜形成装置，特别涉及通过结团离子束(クラスタ-ィオンビ-ム)蒸镀法(ICB法)蒸镀形成高质量薄膜的薄膜形成装置。图3，为特公昭54-9592公报中揭示的已有薄膜形成装置的结构示意图。薄膜形成装置，具有保持一定真空度的真空室1，用来排气至真空状态的真空排气系统2与真空室1相连接。而在真空室1内，设置着喷出蒸镀物质的蒸气而使之产生蒸镀物质结团粒子(クラスタ-)的坩埚3，在坩埚3的上部设有喷口4。进一步，坩埚3内充填着蒸镀物质5，并在坩埚3上敷设有用...
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