技术编号:3390491
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体处理,更具体地涉及在间歇前驱气流工艺中由金属-羰基前驱体的热分解形成金属层的方法。背景技术 将铜(Cu)金属引入用于生产集成电路的多层金属化方案中可能需要使用扩散阻挡层/衬里,以促进Cu层的粘附和生长,并使Cu和介电材料化学隔离以防止Cu扩散进介电材料内。沉积到介电材料上的阻挡层/衬里可以包括折射材料,例如钨(W)、钼(Mo)和钽(Ta),它们与Cu不反应且不混溶,并且可以提供低的电阻率。W的基本材料性质,例如电阻率、热稳定性和扩散阻挡性质...
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