技术编号:3390886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于多孔硅腐蚀液、使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法。更具体地说,就是关于适用于籍助介质隔离或在绝缘体上形成单晶半导体层的电子器件、集成电路的半导体基片的制作方法。绝缘体上形成单晶硅半导体层,作为绝缘体上外延硅(SOI)技术是众所周知的。因为采用这种SOI技术的器件具有采用体硅衬底制作普通的硅集成电路时所达不到的种种优越性,所以获得了许多成功的研究。这就是说,利用SOI技术可获得如下这些优点1 因易于实现介质隔离,可提高集...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。