技术编号：3391695
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般是与半导体晶片制程系统有关，更明确而言，是关于在工 件表面分布制程气体的系统与方法。背景技术半导体晶片制程系统通常含有一制程室，其具有晶座或基座，用以于 制程室内靠近制程区域支撑半导体晶片。制程室形成一真空范围，界定出 部分的制程区域。 一气体散流组件或喷气头可提供一或多个制程气体至制 程区域。接着可加热及/或提供能量予该气体以形成一等离子体，于晶片上实施特定制程。这些制程可包含化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, ...
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