技术编号:3392925
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例大致上是关于基材的处理。更明确的说,本发明是关于化学气相沉积室和制程。背景技术 热化学气相沉积(CVD)薄膜是应用于在集成电路内形成多重材料层。热化学(CVD)薄膜可作为绝缘体、扩散源、扩散和植入罩、分隔板、及最后的钝化层。这些薄膜通常是在数个处理室内沉积而成,各处理室各自有特定的热学和质量传递性设定,以便在多重电路载体(例如基材)表面形成具有最佳均匀物理性和化学性的沉积薄膜。这些薄膜经常作为大型整合工具的部件以便在基材表面制造多重组件。这些...
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