技术编号:33933888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种抗热冲击的mems热电堆芯片技术领域.本发明属于红外传感器技术领域,具体涉及一种抗热冲击的mems热电堆芯片。背景技术.受工艺的影响,传统的热电堆红外探测器一直存在响应时间长、探测率低、灵敏度差、结构笨重、生产成本高昂的缺点。但是,随着半导体技术的高速发展,借助于常规的cmos与mems工艺及技术,热电堆芯片的性能被极大地优化,并被更加广泛地生产和应用。.与热释电探测器、测辐射热计等其他热探测器以及光子探测器相比,新型的mems热电堆红外探测器具有无需额外偏置电路、无需目标物体移动、宽...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。