技术编号:3393472
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于在通过化学气相沉积(CVD工艺)制造基体中使用的外延反应器的腔室进行冷却的方法。背景技术 众所周知,这些反应器首先用于制造半导体元件的微电子产业;为此,它们包括反应腔室,在其中会出现基体的外延生长(通常也称为晶片),并且这些基体由基座盘支承。目前存在两种反应器,其由反应气体的路径限定水平式反应器和竖直式反应器。本发明的方法涉及这两种反应器,虽然在以下的说明中主要是针对水平式反应器作出的,其中反应腔室为具有大致平行六面体形状的大致石英钟状,...
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