技术编号:3393583
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对基片的等离子处理,更具体地涉及在基片上沉积以硅氧化物作基本组分的薄膜的快速等离子增强型淀积,以便为包装密封作用提供有用的透气隔档。等离子聚合,有时称为“等离子增强型化学汽相淀积”或“PECVD”,在各种基片上成膜已成为已知技术。例如,在有氧或无氧情况下,使硅烷同氧化氮或氨的混合物产生等离子聚合作用,以形成氧化硅膜。在1985年12月10日颁布的Sacher等人的美国专利4,557,946描述了通过加热衬底并控制等离子的功率采用有机硅化合物的等离...
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