技术编号：3394116
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体晶片(wafer)上形成介质膜的方法。背景技术 为了形成互补的金属氧化物半导体(CMOS)的装置、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)装置或高端存储装置如DRAMs(动态随机存储器)，常常需要在基材如硅晶片上形成高介电常数(高k)的薄涂层。已经开发了多种在半导体晶片上形成这种薄膜的技术。在过去，栅极介质层是由二氧化硅形成的。然而，上述装置的小型化越来越需要比二氧化硅介电常数更高的栅极介质。这需要达到超薄型的氧化物等值厚度(小于20...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。