技术编号:3394503
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体设备的等离子体加工装置,特别是涉及一种采用含蚀刻物的等离子体的各向异性干燥蚀刻装置。随着半导体装置的小型化及集成化密度的提高,等离子体加工设备正被越来越多地用于能够各向异性蚀刻晶片的干燥蚀刻设备。在用等离子体的干蚀设备中,半导体晶片的蚀刻是通过与在反应器(通常称为反应室)中形成的等离子体中产生的中性自由基和离子的相互作用来完成的。虽然等离子体中的离子在电场的作用下能直接撞击晶体,但它们中的许多会与中性气体分子相碰撞并分散开,改变...
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