技术编号：3394557
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及通过化学汽相淀积在半导体基片上淀积材料所用的桶形反应器，尤其涉及一种调节这种桶形反应器的清洗系统的方法。本发明一般涉及的这类桶形反应器用于半导体基片上外延层的淀积。在半导体材料工业中外延是一种重要的工艺，它用于获得必须的半导体材料的电学特性。例如，在重掺杂衬底上生长一层轻掺杂外延层，由于衬底的低电阻，可以优化CMOS器件，防止闭锁(Latch up)。其诸如掺杂浓度曲线的精确控制和排除氧气这样的优点也可以获得。载有要淀积到基片上的材料(例如硅...
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