技术编号:3394759
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在层间绝缘膜、BPSG(掺杂了硼、磷的二氧化硅膜)膜的平坦化工序、浅沟 槽隔离的形成工序等中使用的CMP研磨剂;CMP研磨剂用添加液以及使用了 这些的基板的研磨方法。 背景技术在现在的超大规模集成电路中,有提高安装密度的趋势,正在研究和开发 着各种微细加工技术。设计规则已经成为亚半微米级。为了满足这样严格的微 细化要求而开发的技术之一有CMP (化学机械研磨)技术。此技术在半导体 装置的制造工序中可以完全地平坦化要实施曝光的层,减轻曝光技术的负担, 稳定成...
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