技术编号:3394767
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机金属化合物、生产有机金属化合物的方法,以及 由有机金属前体化合物生产膜或涂层的方法。背景技术半导体工业目前正考虑各种金属的薄膜在各种各样领域中的应 用。多种有机金属络合物已被评估为形成这些薄膜的潜在前体。工业 上需要研发新化合物和挖掘其作为膜沉积前体用的潜力。由于对薄膜更高均 一性和共形性日益提高的需求,从物理气相沉积(PVD)到化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)方法的工业变革导致对适合未来半 导体材料用的前体的需求。 在工业上,导...
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