技术编号：33952530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅mosfet建模方法技术领域.本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种碳化硅mosfet建模方法。背景技术.在航空航天、轨道交通、电动汽车、电力系统和工业产出等领域内，电机驱动系统作为一种电能与机械能转化的装置，被广泛应用于上述领域，而电机驱动系统的核心是以igbt与mosfet为代表的硅基功率开关器件。然而，硅材料本身的物理特性与性能已达到极限，难以满足当前部分行业的需求。碳化硅mosfet以其高功率、高临界击穿场强、高禁带宽度等优异特性受到广泛关注与应用，用以代替传统硅基mosfe...
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