技术编号：33954316
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及在半导体器件等的制造中使用的相移掩模坯、相移掩模以及相移掩模的制造方法。背景技术.近年来，在半导体加工中，特别是由于大规模集成电路的高度集成化，需要电路图案的微细化，对构成电路的布线图案和接触孔图案的微细化技术的要求越来越高。因此，半导体器件等的制造中使用的曝光光源从krf准分子激光(波长nm)向arf准分子激光(波长nm)短波长化发展。.另外，作为提高了晶圆转印特性的掩模，例如有相移掩模。在相移掩模中，能够调节相位差和透射率这两者，以使得透过透明基板的arf准分子...
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