技术编号:33955775
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请案主张美国第/,号及第/,号专利申请案的优先权(即优先权日为“年月日”及“年月日”),其内容以全文引用的方式并入本文中。.本公开关于一种多个半导体结构的制造及测量方法。特别是有关于一种在一晶圆上的制造与测量多个半导体结构的方法。背景技术.根据摩尔定律(moore's law),在半导体结构中的多个元素的密度急剧增加,且所述元素的尺寸迅速缩小。因此,由所述缩小的元素所引起的对准问题变得越来越重要。在一些传统方法中,对准是...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。