技术编号:33955879
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种互连结构的制备方法。背景技术.钨(w)具有低的电阻率、抗电子迁移能力强和熔点高等优点,故钨在集成电路中广泛用于互连结构(contact或via),用于金属互连。.但目前在互连通道中沉积钨时,由于互连通道较高的深宽比,容易导致填充空洞或缝隙,进而影响后续形成互连结构的工艺,降低最终形成的半导体结构的性能。.因此,如何在互连通道中沉积钨时,提高沉积质量,是本领域需要解决的技术问题。发明内容.有鉴于此,提供该发明内容部分以便以简要的形式介绍构思,这些构...
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