技术编号:3395601
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。淀积膜的方法和用溅射法淀积金属膜或金属合金膜(金属膜化合物)用的溅射设备。用于LSI的半导体衬底上的金属膜主要用溅射法淀积。其原因是,用溅射法能以不造成任何缺陷的稳定方法高速地在衬底表面上淀积有良好质量和杂质含量小的均匀金属膜。在如LSI之类的半导体器件中,在半导体衬底上的层间绝缘膜中形成通过(或接触孔),以连接半导体元件和布线。由于LSI的越来越高的集成度的新趋势,作为“通孔深度/通孔直径”之比的计算出的纵横比也越来越增大。因此,即使用通用的溅射方法,用...
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