技术编号:3395646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用等离子体来加工待加工工件(以下称“加工目标”)如半导体晶片或其他同类工件的等离子体源,尤其是涉及一种带有控制器来控制等离子体的组成粒子、如等离子体中的离子、电子、原子团(中性活化元素)或其他同类粒子的速度和方向(矢量控制)的等离子体源。在半导体加工中利用等离子体的已知加工方法有等离子体CVD(化学蒸气淀积)法,等离子体RIE(反应离子蚀刻)法、溅射法等。按照这些方法,在一加工室内产生预定的等离子体,并于加工室内放置工件(半导体晶片),通过...
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