技术编号:3396860
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料,特别涉及半导体异质结和超晶格薄膜材料的生长方法和系统的设计与制造。外延生长半导体异质结和超晶格薄膜材料可用多种方法,但目前主要是分子束外延(MBE)和化学气相外延(CVD)两种。分子束外延(MBE)实际上是一种超高真空蒸发方法,系统真空度高达10-11Torr,生长时一般为10-9Torr,从而保证原子级清洁的生长表面,生长温度一般为400-750℃,生长速度可控制在1-10/sec.,但MBE设备不仅价格昂贵,而...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。