技术编号：3396864
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及真空沉积薄膜，特别涉及在形状复杂的器件表面均匀沉积碳基薄膜的。金刚石薄膜、碳氮化合物薄膜之类碳基薄膜材料具有优异的力学、热学、电学、光学和声学特性而成为发展前景广阔的薄膜材料，已经采用等离子体化学气相沉积、溅射、离子束增强沉积以及磁过滤弧源沉积等方法合成了类金刚石薄膜及碳氮化合物薄膜，其中溅射沉积、离子束增强沉积等方法由于沉积的原子离子束流是直线的，没有绕射性，因而只能在平面样品表面沉积薄膜。磁过滤弧源沉积方法虽然由于引出的是带电荷的离子束流，在...
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