技术编号:3396995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及材料的汽化和供给装置,用于将气体提供到制造半导体使用的化学汽相淀积(CVD)装置或物理汽相淀积(PVD)装置。具体地说,本发明涉及在规定的流速下高精确度地汽化和提供在较高温度下不稳定的液相CVD材料用于制造半导体的装置,而不会使质量变坏。在半导体器件的制造中需要形成如半导体膜、绝缘膜和金属膜等膜层。形成膜的主要工艺是使用真空淀积或溅射的物理汽相淀积(PVD)和使用光能或热能的化学汽相淀积(CVD)。主要用CVD是由于容易控制。根据该工艺,用于处理...
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