技术编号：3397141
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体应用方面，通常是带有伸出部件的情况下，化学湿法腐蚀金属薄膜的方法。具体地说，本发明描述了一种腐蚀溶液的pH值范围，所述的溶液可在半导体基片或晶片上存在有电镀的C4型焊料突点时，完成对金属薄膜的均匀一致的腐蚀。所述的金属薄膜可由钛钨合金(TiW)制成。控制熔塌芯片连接(C4)是一种先进的微电子芯片封装及连接技术。C4也以“焊料突点”技术和“倒装法”为人所知。C4的基本思路是用位于组件两表面间的焊球，实现芯片、芯片组件或其它类似组件间的连接。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。